Strona korzysta z plików cookie w celu realizacji usług zgodnie z Polityką dotyczącą cookies.Możesz określić warunki przechowywania lub dostępu do cookie w Twojej przeglądarce.
Language: PL | EN

ZET_GANCHARGE

Projekt „Opracowanie i badania funkcjonalne prototypu wysokosprawnej ładowarki samochodowej wykonanej w technologii GaN” (ZET_GANCHARGE) jest dofinansowany z dotacji celowej Prezesa Centrum Łukasiewicz.

Całkowita wartość projektu: 478 750 PLN

Dofinansowanie: 335 125 PLN

Tworzenie przyjaznych środowisku pojazdów elektrycznych wymaga między innymi ograniczania ich masy, a w rezultacie ich zużycia energii. W tworzeniu małych oraz lekkich podzespołów energoelektronicznych do pojazdów elektrycznych może doskonale sprawdzić się azotek galu. Tranzystory i diody oparte na azotku galu mogą przełączać większe moce przy większych częstotliwościach, pracować w wyższych temperaturach i być bardziej niezawodne, przy jednocześnie mniejszych wymiarach i niższych kosztach wytwarzania. Powoduje to, że układy energoelektroniczne z elementami na bazie GaN mogą być mniejsze, bardziej efektywne, niezawodne i pracować w trudnych warunkach środowiskowych, w porównaniu do przyrządów opartych na krzemie, czy węgliku krzemu. Obecnie dostępne komercyjnie tranzystory oparte na azotku galu charakteryzują się maksymalnym napięciem pracy ok. 650 V, co czyni je idealnymi do zastosowań jednofazowych.

Planowane efekty realizacji projektu to nabycie doświadczenia projektowania urządzeń z tranzystorami w technologii GaN, opracowanie technik sterowania oraz montażu. Pozwolą one na szersze wprowadzanie tranzystorów GaN w dalszych projektach, razem ze wszystkimi ich korzyściami. Opracowany model urządzenia ma szansę zyskać zainteresowanie przemysłu, co może zaowocować dalszymi pracami oraz wdrożeniem urządzenia do produkcji.